隨著先進半導體技術的發展對自對準和“自下而上"精準制造的需求愈發迫切,區域選擇性原子層沉積 (AS-ALD)技術憑借獨特優勢，受到廣泛關注。

2025年6月25日,在濟州島的國際ALD/ALE會議上，Lam Research 的工程師Rachel.NyedeCastro 做了區域選擇性沉積（ASD）的報告。報告主要圍繞在金屬基體上選擇性沉積電解質圖案，實現從試點生產（小的測試片）到規模化的晶圓沉積。

Rachel Nye 的報告中顯示，Lam公司試點生產線的前期啟動實驗采用了Anric Technologies 的ALD設備。特別值得一提的是，截至目前，Lam 公司已采購8套同類設備用于試點生產線建設，從而被譽為AnricTechnologies 的“鐵桿粉絲客戶"。

以下是該報告的內容介紹：

報告人：Rachel Nye

Rachel Nye，導師：Gregory Parsons，于2022年博士畢業于NC State University，后加入Lam Research 公司。她的研究主要集中在分子層沉積和區域選擇性沉積，現在西海岸地區從事區域選擇性沉積方面的工作。